上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用
上海伯東美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 系列, 通過加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 離子源增強設計輸出低電流高能量寬束型離子束, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 實現輔助鍍膜 IBAD.
e-beam 電子束蒸發系統加裝 KRi 離子源作用
通過向生長的薄膜中添加能量來增強分子動力學, 以增加表面和原子/分子的流動性, 從而導致薄膜的致密化.
通過向生長薄膜中添加活性離子來增強薄膜化合物的化學轉化, 從而得到化學計量完整材料.
使用美國 KRi 考夫曼離子源可以實現
增強和控制薄膜性能, 薄膜致密化的改進, 控制薄膜化學計量, 提高折射率, 降低薄膜應力, 控制薄膜微觀結構和方向, 提高薄膜溫度和環境穩定性, 增加薄膜附著力, 激活表面, 薄膜界面和表面平滑, 降低薄膜吸收和散射, 增加硬度和耐磨性.
KRi KDC 考夫曼離子源典型案例:
設備: e-beam 電子束蒸發系統
離子源型號: KDC 75
應用: IBAD 輔助鍍膜, 在玻璃上鍍上高反射率膜 (光柵的鍍膜)
離子源對工藝過程的優化: 無需加熱襯底, 對溫度敏感材料進行低溫處理, 簡化反應沉積
上海伯東美國 KRi 離子源適用于各類沉積系統 (電子束蒸發或熱蒸發, 離子束濺射, 分子束外延, 脈沖激光沉積), 實現 IBAD 輔助鍍膜
美國 KRi KDC 考夫曼型離子源技術參數：
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型號
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KDC 10
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KDC 40
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KDC 75
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KDC 100
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KDC 160
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Discharge 陽極
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DC 電流
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DC 電流
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DC 電流
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DC 電流
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DC 電流
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離子束流
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>10 mA
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>100 mA
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>250 mA
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>400 mA
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>650 mA
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離子動能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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1 cm Φ
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4 cm Φ
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7.5 cm Φ
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12 cm Φ
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16 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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1-5 sccm
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2-10 sccm
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2-15 sccm
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2-20 sccm
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2-30 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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長度
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11.5 cm
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17.1 cm
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20.1 cm
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23.5 cm
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25.2 cm
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直徑
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4 cm
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9 cm
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14 cm
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19.4 cm
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23.2 cm
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中和器
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燈絲
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上海伯東美國 KRi 離子源 KDC 系列適用于標準和新興材料工藝. 在原子水平上工作的能力使 KDC 離子源能夠有效地設計具有納米精度的薄膜和表面. 無論是密度壓實, 應力控制, 光學傳輸, 電阻率, 光滑表面, 提高附著力, 垂直側壁和臨界蝕刻深度, KDC 離子源都能產生有益的材料性能. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東同時提供 e-beam 電子束蒸發系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發更高質量的設備.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生
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