上海伯東美國 KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源 RFICP 380, RFICP 220 成功應用于 12英寸和 8英寸 IBE 離子束蝕刻機, 刻蝕均勻性（1 σ）達到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導體, 絕緣體, 超導體等.
離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其核心部件為大面積離子源. 作為蝕刻機的核心部件, KRi 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時間更長, 滿足各種材料刻蝕需求! 氣體通入離子源的放電室中, 電離產生均勻的等離子體, 由離子源的柵極將正離子引出并加速, 然后由中和器進行中和. 利用引出的帶有一定動能的離子束流撞擊樣品表面, 通過物理濺射將材料去除, 進而獲得刻蝕圖形. 這一過程屬于純物理過程, 一般運行在較高的真空度下.
IBE 類型設備的優(yōu)點主要是等離子體的產生遠離晶圓空間, 通過柵網拉出的離子束的能量和密度可以獨立控制; 其次 IBE 的晶圓載臺可以實現(xiàn)自轉, 并通過角度調整, 實現(xiàn)傾斜入射.
KRi 射頻離子源 RFICP 系列技術參數:
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型號
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge 陽極
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
2kw & 1.9 ± 0.2 MHz
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RF 射頻
2kw & 1.8 MHz
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離子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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離子動能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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長度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直徑
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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上海伯東美國 KRI 考夫曼離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長
RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源, 電子供應器, 中和器, 電源控制等
RFICP 系列離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性光透射,均勻性,附著力等
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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上海伯東: 羅先生
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