上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 IBD 離子束沉積是其典型的應用.
KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
基板遠離濺射目標
工藝壓力在小于× 10-4 torr
離子源在離子束濺射沉積工藝過程:
上海伯東美國 KRi 射頻離子源優勢
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠離等離子體: 低基材溫度
不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
非常適用于復雜, 精密的多層薄膜制備
清潔, 低污染工藝
沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
離子能量, 離子電流密度的控制
優良的反應沉積工藝
美國 KRi RFICP 射頻離子源技術參數：
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型號
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RFICP 40
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RFICP 100
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RFICP 140
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RFICP 220
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RFICP 380
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Discharge 陽極
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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RF 射頻
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離子束流
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>100 mA
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>350 mA
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>600 mA
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>800 mA
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>1500 mA
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離子動能
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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100-1200 V
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柵極直徑
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4 cm Φ
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10 cm Φ
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14 cm Φ
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20 cm Φ
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30 cm Φ
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離子束
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聚焦, 平行, 散射
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流量
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3-10 sccm
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5-30 sccm
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5-30 sccm
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10-40 sccm
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15-50 sccm
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通氣
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Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
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典型壓力
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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< 0.5m Torr
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長度
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12.7 cm
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23.5 cm
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24.6 cm
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30 cm
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39 cm
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直徑
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13.5 cm
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19.1 cm
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24.6 cm
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41 cm
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59 cm
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中和器
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LFN 2000
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上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.
上海伯東同時提供濺射沉積系統所需的渦輪分子泵, 真空規, 高真空插板閥等產品, 協助客戶生產研發高質量的真空系統.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
若您需要進一步的了解 KRi 射頻離子源, 請參考以下聯絡方式
上海伯東: 羅先生
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