光伏設備已基本具備整線供給能力

      隨著我國太陽能光伏產業的興起、發展和壯大，太陽能光伏設備發展逐漸形成規模，為太陽能光伏產業發展提供了強大的設備支撐。目前，國內專業或兼顧從事太陽能電池相關設備研發、生產的廠家已有20多家。

      自2002年以來，通過和國外一流企業合作并引進先進的工藝技術，歷經多次技術升級，使在國產設備及進口設備混搭的主流大生產線中，國產設備已占據較大的份額，基本實現了整線供給能力。在太陽能電池產業電池制片的十四個環節，幾乎涵蓋支撐太陽能電池產業發展的全部重要設備。

      目前，在太陽能電池生產線的10種主要設備中，六種已在國內生產線中占據主導。其中，擴散爐、等離子刻蝕機、清洗制絨設備已達到或接近國際先進水平，性價比優勢十分明顯。但是，多晶電池絨面制作的制絨機與進口設備還有一定差距，用于周邊刻蝕的激光刻阻機及濕法化學刻蝕設備尚未成功開發。全自動絲網印刷機、自動分檢機、平板式PECVD等三種設備近期內尚需完全依賴進口。

      產業全面提升下的隱憂

       2008年以來，我國太陽能光伏產業的發展受全球金融危機的沖擊，訂單縮減、業績有所下滑，不過，受國際、國內的市場拉動以及國內相關產業政策的推動，我國太陽能光伏產業出現了快速增長。其中，太陽能多晶硅產量已突破4000噸，太陽能電池產量接近2000MW，居全球首位。但是，當前我國太陽能光伏產業整體水平，尤其在事關產業發展的核心關鍵技術、裝備以及相關產業政策等諸多方面，與技術領先國家相比較還存在較大的差距，導致光伏產業發展面臨一系列問題。

      國家戰略層面缺乏系統完備的“頂層設計”

      德國、西班牙、美國、日本等發達國家的光伏產業發展實踐表明，制定并確立長遠的光伏產業發展規則、遵循或建立保障機制、實施政府補貼等政策是光伏產業發展與壯大的動力和源泉。當前，全球最受世人矚目的光伏產業發展計劃是美國、日本制定的“面向2030年的光伏工業線路圖”。該計劃均是立足于國家層面的光伏產業發展計劃，其中美國的目的是由“以出口帶動光伏產業發展轉變為”投資國內技術和市場，擴大內需，帶動產業顯著增長，設定了2030年累積裝機容量達200GW的宏大目標，每年新增裝機容量19GW。屆時，光伏發電將占據電力市場較大份額，并成為電力的主要來源。

      日本的目的是使未來的光伏研發從“政府指引研發以創建初期光伏系統市場”轉變為“基于學術界、產業界和政府間的任務共擔與合作的研發模式以創建成熟的光伏系統市場”，設定了2030年累積裝機容量達100GW的發展目標。屆時，其光伏發電可以提供約50%的日本居民電力消費(約占總電力消費的10%)。

      我國出臺的《國民經濟和社會發展“十一五”規劃綱要》、《可再生能源中長期發展規劃》、《可再生能源發展“十一五”規劃》等均涉及太陽能光伏產業發展，明確了未來發展的長遠目標。但是，從當前我國光伏產業發展現狀、總體趨勢看，《可再生能源中長期發展規劃》中，2010年的光伏裝機容量300MW、2020年的1.8GW、2030年的10GW以及2050年的100GW等發展目標設定明顯偏低，相比當前世界光伏產業發展勢頭顯得滯后。在涉及制約產業發展的核心技術、裝備等方面，所需攻克的關鍵技術、突破方向、發展路徑等尚未提出明確目標；在涉及光伏并網發電問題方面，并網及運行管理行業標準、并網價格以及系統維護等缺乏相對完整、系統的管理辦法和政策細則。

      產業鏈構建畸形，高純多晶硅材料成為產業發展瓶頸

       從全球太陽能光伏產業發展整體視角看，產業上中下游構成一個典型的“金字塔”模型，即產業上游企業數量相對較少，產業中游企業數量比上游多，產業下游企業數目最多。為此，相對完整、合理的產業鏈結構，有利于太陽能光伏產業的發展與壯大，但是，當前全球光伏產業鏈的結構已經發生了明顯變化。

      當前，我國太陽能光伏產業已逐步拓展步入蓬勃發展時期，多晶硅產能、產量不斷擴大，2008年太陽能光伏電池產量已接近2GW。據有關統計數據。自2005年以來，我國多晶硅產量、產能出現爆發式增長，2008年產量接近4480噸，產能超過一萬噸；預計2009年的產量將超過三萬噸，產能面臨巨大過剩風險。從產業鏈的構成、產業發展的整體看，產業鏈發展已經呈現出“畸形”，“金字塔”模式不復存在，未來產業前景不容樂觀。

      2008年，全球光伏產業受金融危機影響，多晶硅現貨價格一路滑落，使未來我國相關企業面臨嚴峻挑戰。同時，在高純多晶硅制備方面，我國與美、日以及德、意、挪威等歐盟技術領先國家存在較大差距，是制約我國太陽能光伏產業發展的瓶頸。

      自主知識產權缺乏，核心技術和設備有待突破

      多晶硅制備，是一項相對復雜的高技術，涉及化工、電子、電氣、機械和環保等多個學科。當前，太陽能級多晶硅技術主要包括物理法和化學法。目前，最常用方法是“改良西門子法”，占據了全球太陽能級多晶硅產量的76%以上，但是，“改良西門子法”對原材料、技術要求很高。與國外技術領先國家相比，我國國內多晶硅廠商主要采用引進“改良西門子法”，整體的制備工藝、關鍵核心設備仍依賴引進。

      另外，其他太陽能級多晶硅制備技術方面，如日本川崎制鐵公司及德國的濕法精煉法、日本德山公司的熔融析出法、美國國家可再生能源實驗室的無氯技術等工藝已經逐步成熟，并步入規?；a，而我國在上述相關技術、工藝方面尚未涉足。