圖3為硅片少子壽命隨沉積不同i-a-Si：H厚度的變化曲線，可以看出沒有沉積本征非晶硅層的硅襯底少子壽命最優值為16．44”s，當沉積一定厚度的本征非晶硅后，硅片的少子壽命均有提高，說明了非晶硅薄膜作為緩沖層減小了異質結界面態密度，對硅片表面有很強的鈍化效果。其中隨著厚度的增加，當沉積時間為40s，厚度約為3nlTl的本征非晶硅，少子壽命最高達到24．61“s，并且得到的本征非晶硅薄膜結構比較穩定，能夠在電池中應用。

　?。?）本征非晶硅對HIT太陽電池性能的影響

圖4 HIT太陽電池V沉積i-a-Si：H層厚度的變化曲線

　　在沉積不同本征非晶硅層厚度的基礎上，制備完整的HIT太陽電池樣品，測試得到電池的開路電壓（U）與沉積i-a-Si：H層厚度的變化曲線如圖4所示。從圖中可以看出，當沉積時間為40s，制備得到的HIT太陽電池的K最高，結合前面關于本征i層對硅片表面的鈍化作用，此時的少子壽命也是最高的，說明表面鈍化能有效提高電池的開壓。

　　保持HIT太陽電池其他工藝條件不變，僅改變本征非晶硅層的插入，制備一組電池樣品，測試電池的QE響應和IV特性，如圖5所示。

　　從QE曲線中可以看出本征層的插入增加了對短波段光的吸收，使得短波段光譜響應相比不加入本征層的減弱了，短路電流密度J。略有降低，但是它通過在界面處降低了異質結的表面復合速率來提高電池的填充因子FF和開路電壓K，因此異質結界面處插入一定厚度的i-a-Si：H能有效提高HIT太陽電池的光電轉換效率。