此外，在安全領域，我們預計電子ID證件的增長將繼續，比如電子護照，帶芯片的身份證件等。

    我們也認為，越來越多的證件，如駕照以及社會保障卡等，都將內置安全芯片。

    對中國系統制造商而言，2011年將面臨的最大技術挑戰是如何保證高復雜系統的可靠性和實現更高的能效。特別在汽車領域，安全和質量是嚴酷的考驗，尤其是在新的應用領域，如何能在嚴酷的條件下保證在十年、十五年以上的可靠工作。比如汽車本身所帶來的大范圍溫度變化(從零下四十度到零上一百五十度)，由路面顛簸所帶來的強烈機械震動，復雜混亂的電子干擾等等。在汽車動力引擎方面，由于汽車系統復雜度越來越高，對于功率驅動和主控芯片都提出更高要求。我們會堅持質量第一的信念，把最可靠的器件和系統帶到中國。

    工業領域的產品應用也十分廣泛，從10伏以上到1000千伏以上，1安培以上到100安培以上，簡單控制到復雜控制，如4瓦LED燈泡到6500千伏牽引系統。要為這么廣泛的應用提供高能源效率解決方案，需要一個廣泛的產品組合，以為各項應用提供性價比最佳的產品，同時必須掌握包括MCU、MOSFET、IGBT和模塊等多種技術。

    目前在汽車、工業和芯片卡市場，英飛凌是排名第一的龍頭企業。我們完善的產品線可以為能源效率、移動性和安全性市場的快速發展提供極大的推動作用。

    為了應對上述汽車電子系統的挑戰，英飛凌開發了汽車級的IGBT模塊。這些汽車專用的IGBT模塊充分考慮了以上的技術挑戰，在設計和生產時作出了充足的保護安排，在認證和測試時也進行了全面的考慮，比如，抗震動能力，我們對汽車級模塊會以五倍重力加速度三十小時來做考驗，而工業級器件一般僅做兩倍重力加速度兩小時的測試；還有溫度沖擊測試，即在零下四十度到零上一百五十度之間做快速的循環變化，汽車級我們會做一千次，而工業級僅做五十次，這個指標反映器件未來的壽命。除器件之外，為更好地幫助大家的開發，我們在國內也推出相關的參考設計，相信這些參考設計能幫助大家縮短開發周期。

    在功率電子領域，主要的驅動力是提高能效和功率密度，比如降低導通電阻和開關損耗。在高壓市場版塊，我們在碳化硅技術方面的發展十分先進，已經進行了多年的量產。英飛凌的JFET和MOSFET也處于產品開發階段，第一種類型將在接下來兩三年入市。而在低壓領域，我們正在開發GaN類型的產品，以降低開關成本。

    封裝技術也是我們實現差異化的一個重要方面。依靠.XT這種新的IGBT模塊連接技術，我們進行了一系列創新。比如芯片前端和后端的壓焊連接加強，及在流程中利用擴散錫焊的方法等。.XT技術將IGBT模塊的使用壽命提高10%，這對于如商用車以及風能發電站等強大應用來說尤其重要。