然后硅錠會被橫向切割為單個硅晶片，即圓晶。在切割過程中，會產生大量的粉狀碎屑，此時，需要用水將所有的圓晶進行徹底清洗。但清洗用水并非普通水，而是由自來水進一步提純之后的超純水。

    英特爾其它工廠因為設備投入較早，對自來水的處理效率通常在80%—85%左右，而現在F68工廠采用新興的膜分離技術的反滲透裝置可以去除市政供水中的大部分溶解離子，使約95％的自來水轉化成超純水，當然剩下的5%也不會直接排放，而是被導流到冷卻等環節，繼續利用。

    事實上，由于英特爾大量向第三方廠商采購晶圓成品，F68工廠省掉了沖洗晶圓的環節，反滲透裝置產生的超純水被用在了對晶圓進行“雕刻”的環節—這是所有生產工藝中精確度最高、微觀級別最高的環節。

    “雕刻”類似于傳統膠片沖洗，但工藝更復雜，精度要求更高。晶圓進入F68之后，首先被涂光刻膠，輕薄而均勻地涂上光刻膠之后，晶圓被曝光于紫外線下進行化學反應。按照紫外線給予的形狀，一部分物質發生化學變化，另一部分不變，利用這種曝光，每一片晶圓被切割出數百個微處理器，每個微處理器上再被設置數萬個晶體管，按照英特爾最先進的工藝，一個大頭針大小的面積能夠容納約3000萬個晶體管。

    曝光后，大部分光刻膠會被溶劑溶解，晶圓上就會形成光刻膠圖案。此時，就需要用超純水反復清洗這些溶劑，直至潔凈度達標。

    在芯片生產過程中，類似的涂膠-曝光-清洗工藝會被進行多次，而每次都要用超純水進行沖洗，這是芯片行業耗水的根本原因。

    每制造完成一片標準酷睿芯片，約35升超純水被消耗，變成含有大量硅和其它曝光溶劑所需的化學物質的廢水。這些水的PH值已經和自然界的水完全不同，這些廢水將被全部導入F68的廢水處理廠。