德國歐司朗光電半導體（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）開發出了新型LED結構「UX:3」。該結構不僅能夠大幅提高藍光LED等GaN類LED的外部量子效率，而且還可大幅抑制LED在通過大電流時發光效率下降的公認課題。通過減少不伴隨發光的非放射再結合——「俄歇復合」，可抑制發光效率的下降。

    歐司朗介紹，UX:3在LED芯片內部嵌入n型接觸電極，通過貫通孔與n型GaN類半導體層進行電連接。可降低電流密度的效果，從而減少了俄歇復合。并還加厚了作為發光部分的活性層，降低了載流子密度。

    采用UX:3的藍光LED芯片，其光輸出功率在芯片為1mm見方的情況下投入350mA電流時比ThinGaN大約高10％。投入電流越多，UX:3和ThinGaN的差距就越大。使用這種藍光LED芯片的白光LED，其發光效率可達到136lm/W。

    UX:3將作為ThinGaN的進化版，從投入大電流的高端藍光LED、白光LED及綠光LED開始采用。首先將推出手機攝像頭閃光燈使用的產品，并于2010年內發佈面向普通照明用途的產品。

    目前打算在1mm見方的大尺寸芯片上采用UX:3，不過在技術成熟后，還有可能在標準尺寸的芯片上使用UX:3。