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KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜

發布時間: 來源:伯東企業(上海)有限公司

在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質具有優異的物理和化學特性, 一直是材料學研究的....

在常見的高硬度薄膜之中, 由 Ti、B、C 和 N 幾種元素可以形成多種共價鍵材料, 如 TiB2、TiC、Ti-B-N、Ti-B-C-N 等, 這些物質具有優異的物理和化學特性, 一直是材料學研究的熱點.  研究發現, 對成分和結構的調控可實現薄膜材料的性能轉變, 進而獲得能滿足不同性能需求的薄膜.

 

在 對 Ti-B-C 薄膜研究中, 北方某大學科研課題租采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 濺射沉積 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉積條件及熱處理條件對其組織結構和力學性能的影響.

 

伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:

型號

RFICP140

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>600 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

14 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

5-30 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

24.6 cm

直徑

24.6 cm

中和器

LFN 2000

 

磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調節鍍膜參數, 得到更加致密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環保.

 

該實驗項目采用 Ti/ B4C 復合靶作為靶材, 通過磁控濺射方法沉積了成分、結構可調的 Ti-B-C薄膜. 在沉積試驗之前, 背底氣壓低于510-3Pa, 再采用 Ar 離子濺射清洗30min, 工作氣壓為0.5Pa.

 

利用 X 射線光電子能譜 (XPS) 和 X 射線衍射 (XRD) 分析了 Ti-B-C 薄膜的成分和結構, 利用納米壓痕法測量了 Ti-B-C 薄膜的力學性能.

 

KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

 

KRI 離子源是領域公認的領導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空檢漏儀質譜儀真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生     


(官方微信號:chinajnhb)
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