【污染物排放】：

半導體行業廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。揮發性有機廢氣主要來源于光刻、顯影、刻蝕及擴散等工序，在這些工序中要用有機溶液（如異丙醇）對晶片表面進行清洗，其揮發產生的廢氣是有機廢氣的來源之一；同時，在光刻、刻蝕等過程中使用的光阻劑（光刻膠）中含有易揮發的有機溶劑，如醋酸丁酯等，在晶片處理過程中也要揮發到大氣中，是有機廢氣產生的又一來源。與半導體制造工藝相比，半導體封裝工藝產生的有機廢氣較為簡單，主要為晶粒粘貼、封膠后烘烤過程產生的烘烤廢氣

【控制要求】：

半導體制造工藝中使用的清洗劑、顯影劑、光刻膠、蝕刻液等溶劑中含有大量有機物成分。在工藝過程中，這些有機溶劑大部分通過揮發成為廢氣排放。目前，有機廢氣排放處理措施采用大風量低濃度，其處理一般采用吸附濃縮技術、等離子光解技術、或UV光解技術等等。

【工作原理】

本設備是等離子分解廢氣凈化器+UV光解除臭廢氣凈化器兩種設備的完美結合，綜合采用了等離子廢氣凈化器和紫外光觸媒除臭廢氣凈化器兩種設備的優點組合而成，利用等離子分解技術和UV紫外光解技術相結合，對廢氣和臭氣進行高效協同凈化處理！

（1）廢氣和惡臭氣體進入集成設備后，經過UV紫外光束區時，被紫外光波高能高效率地照射，瞬間產生光解反應，打開廢氣和臭味污染物分子的化學鍵，破壞其分子結構和核酸；利用高能紫外光波分解空氣中的氧分子產生游離氧，即活性氧，因游離氧所攜正負電子不平衡所以需與氧分子結合，進而產生臭氧，使呈游離狀態的污染物分子與臭氧氧化結合成小分子無害或低害的化合物。如CO2、H2O 等。 UV+O2→O-+O*(活性氧)O+O2→O3(臭氧)。

（2）廢氣和惡臭氣體經過等離子體電場區，在納秒級時間范圍內，等離子猛烈轟擊廢氣和臭味等污染物分子，產生裂變分解反應，產生高濃度、高強度、高能量的各種活性自由基、高能電子、高能離子等，同時產生大量臭氧、原子氧、生態氧等混合氣體，進行一系列復雜的分化裂解和氧化還原反應。

（3）UV紫外光解與等離子分解如此高效協同地產生一系列光解和分解反應，經過復合式多級凈化后從而達標排放！既能安全高效地凈化治理各種有害廢氣，又能高效干凈地去除各種惡臭味道。