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　　LED在正向電壓下，電子從電源獲得能量，在電場的驅動下，克服PN結的電場，由N區躍遷到P區，這些電子與P區的空穴發生復合。由于漂移到P區的自由電子具有高于P區價電子的能量，復合時電子回到低能量態，多余的能量以光子的形式放出。發出光子的波長與能量差Eg相關。可見，發光區主要在PN結附近，發光是由于電子與空穴復合釋放能量的結果。一隻半導體二極體，電子在進入半導體區到離開半導體區的全部路程中，都會遇到電阻。簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結構簡單地從原理上看，半導體二極體的物理結構源負極發出的電子和回到正極的電子數是相等的。普通的二極體，在發生電子-空穴對的復合是，由于能級差Eg的因素，釋放的光子光譜不在可見光范圍內。

　　電子在二極體內部的路途中，都會因電阻的存在而消耗功率。所消耗的功率符合電子學的基本定律：

　　P=I2R=I2(RN++RP)+IVTH

　　式中：RN是N區體電阻

　　VTH是PN結的開啟電壓

　　RP是P區體電阻

　　消耗的功率產生的熱量為：

　　Q=Pt

　　式中：t為二極體通電的時間。

　　本質上，LED依然是一只半導體二極體。因此，LED在正向工作時，它的工作過程符合上面的敘述。它所它所消耗的電功率為：

　　PLED=ULED×ILED

　　式中：ULED是led光源兩端的正向電壓:

　　ILED是流過LED的電流

　　這些消耗的電功率轉化為熱量放出:

　　Q=PLED×t

　　式中：t為通電時間

　　實際上，電子在P區與空穴復合時釋放的能量，并不是由外電源直接提供的，而是由于該電子在N區時，在沒有外電場時，它的能級就比P區的價電子能級高出Eg。當它到達P區后，與空穴復合而成為P區的價電子時，它就會釋放出這麼多的能量。Eg的大小是由材料本身決定的，與外電場無關。外電源對電子的作用只是推動它做定向移動，并克服PN結的作用。 

　　LED的產熱量與光效無關；不存在百分之幾的電功率產生光，其余百分之幾的電功率產生熱的關係。透過對大功率LED熱的產生、熱阻、結溫概念的理解和理論公式的推導及熱阻測量，我們可以研究大功率LED的實際封裝設計、評估和產品應用。需要說明的是熱量管理是在LED產品的發光效率不高的現階段的關鍵問題，從根本上提高發光效率以減少熱能的產生才是釜底抽薪之舉，這需要芯片制造、LED封裝及應用產品開發各環節技術的進步。