產(chǎn)品介紹
立2011年新推出了SU9000超高分辨冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，達(dá)到掃描電鏡世界最高二次電子分辨率0.4nm和STEM分辨率0.34nm。日立SU9000采取了全新改進(jìn)的真空系統(tǒng)和電子光學(xué)系統(tǒng)，不僅分辨率性能明顯提升，而且作為一款冷場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡甚至不需要傳統(tǒng)意義上的Flashing操作，可以高效率的快速獲取樣品超高分辨掃描電鏡圖像。
特點(diǎn)：
1. 新型電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)達(dá)到掃描電鏡世界最高分辨率：二次電子0.4nm（30KV），STEM 0.34nm（30KV）。
2. Hitachi專利設(shè)計(jì)的E×B系統(tǒng)，可以自由控制SE和BSE檢測(cè)信號(hào)。
3. 全新真空技術(shù)設(shè)計(jì)使得SU9000冷場(chǎng)發(fā)射電子束具有超穩(wěn)定和高亮度特點(diǎn)。
4. 全新物鏡設(shè)計(jì)顯著提高低加速電壓條件下的圖像分辨率。
5. STEM的明場(chǎng)像能夠調(diào)整信號(hào)檢測(cè)角度，明場(chǎng)像、暗場(chǎng)像和二次電子圖像可以同時(shí)顯示并拍攝照片。
6. 與FIB兼容的側(cè)插樣品桿提高更換樣品效率和高倍率圖像觀察效率。
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項(xiàng)目
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技術(shù)指標(biāo)
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二次電子分辨率
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0.4nm （加速電壓30kV，放大倍率80萬(wàn)倍）
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1.2nm （加速電壓1kV，放大倍率25萬(wàn)倍）
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STEM分辨率
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0.34nm（加速電壓30kV，晶格象）
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觀測(cè)倍率
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底片輸出
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顯示器輸出
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LM模式
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80~10,000x
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220~25,000x
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HM模式
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800~3,000,000x
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2,200~8,000,000x
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樣品臺(tái)
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側(cè)插式樣品桿
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樣品移動(dòng)行程
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X
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±4.0mm
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Y
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±2.0mm
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Z
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±0.3mm
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T
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±40度
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標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)
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平面樣品臺(tái)：5.0mm×9.5mm×3.5mmH
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截面樣品臺(tái)：2.0mm×6.0mm×5.0mmH
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專用樣品臺(tái)
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截面樣品臺(tái)：2.0mm×12.0mm×6.0mmH
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雙傾截面樣品臺(tái)：0.8mm×8.5mm×3.5mmH
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信號(hào)檢測(cè)器
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二次電子探測(cè)器
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TOP 探測(cè)器（選配）
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BF/DF 雙STEM探測(cè)器（選配）
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