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一、半導體清洗用超純水設備概述

半導體清洗用超純水設備主要應用在半導體清洗行業，該設備采用先進的反滲透技術和EDI以及拋光樹脂模組技術，保證設備的質量和出水水質。應用杜笙MB-115拋光樹脂可以保證穩定出水在17兆歐以上;應用杜笙MB-106UP，可以保證穩定出水在18.25兆歐以上。

二、半導體清洗用超純水設備工作原理

EDI裝置將離子交換樹脂充夾在陰/陽離子交換膜之間形成EDI單元。EDI工作原理如下圖所示。EDI組件中將一定數量的EDI單元間用網狀物隔開，形成濃水室。又在單元組兩端設置陰/陽電極。在直流電的推動下，通過淡水室水流中的陰陽離子分別穿過陰陽離子交換膜進入到濃水室而在淡水室中去除。而通過濃水室的水將離子帶出系統，成為濃水. EDI設備一般以反滲透(RO)純水作為EDI給水。RO純水電導率一般是40-2μS/cm(25)。EDI純水電阻率可以高達18 MΩ.cm(25)，但是根據去離子水用途和系統配置設置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25)的純水。

三、半導體清洗用超純水設備制備工藝

1、預處理系統→反滲透系統→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→精密過濾器→用水點。(≥18MΩ.CM)(傳統工藝)

2、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點。(≥18MΩ.CM)(最新工藝)

3、預處理→一級反滲透→加藥機(PH調節)→中間水箱→第二級反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點。(≥17MΩ.CM)(最新工藝)

4、預處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線殺菌器→0.2或0.5μm精密過濾器→用水點。(≥15MΩ.CM)(最新工藝)

5、預處理系統→反滲透系統→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線殺菌器→精密過濾器→用水點。(≥15MΩ.CM)(傳統工藝)。

四、半導體清洗用超純水設備的應用領域

電解電容器生產鋁箔及工作件的清洗。

電子管生產、顯像管和陰極射線管生產配料用純水。

黑白顯像管熒光屏生產、玻殼清洗、沉淀、濕潤、洗膜、管頸清洗用純水。

生產液晶顯示器的屏面需用純水清洗和用純水配液。

晶體管生產中純水主要用于清洗硅片。

集成電路生產中高純水清洗硅片。

半導體材料、器件、印刷電路板和集成電路用純水。

半導體材料、晶元材料生產、加工、清洗。

高品質顯像管、螢光粉生產。

汽車、家電表面拋光處理。

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