ZEM-5熱電性能分析系統
技術特點：
· 適用于研究開發各種熱電材料和薄膜材料，提高測量精度
· 溫度檢測采用C型熱電偶，最適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
· 真正可測基板上的納米級薄膜（TF型）
· 最大可測10MΩ高電阻材料
· 標準搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
· 基于日本工業標準JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
|
|
ZEM-5HT
|
ZEM-5HR
|
ZEM-5LT
|
ZEM-5TF
|
|
特 點
|
高溫型
|
高電阻型
最大電阻：10MΩ
|
低中溫型
|
薄膜型
可測在基板上形成的熱電薄膜
|
|
溫度范圍
|
RT-1200℃
|
RT-800℃
|
-150℃-200℃
|
RT-500℃
|
|
樣品尺寸
|
直徑或正方形：2 to 4 mm2 ；
長度3 ～ 15mm
|
成膜基板：寬2-4mm，厚0.4-12mm，長20mm
薄膜厚度：≥nm量級
薄膜樣品與基板要求絕緣
|
|
控溫精度
|
±0.5K
|
|
測量精度
|
塞貝克系數：＜±７％； 電阻系數：＜±７％
|
|
測量原理
|
塞貝克系數：靜態直流電； 電阻系數：四端法
|
|
測量范圍
|
塞貝克系數：0.5μV/K_25V/K； 電阻系數：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
|
|
分辨率
|
塞貝克系數：10nV/K； 電阻系數：10nOhm
|
|
氣 氛
|
減壓Ｈｅ
|